在分析仪的电路设计中，将零点偏置（Zero Offset）和斜率（Slope/Span）存储在 EEPROM 中是一个非常经典的做法。
简单来说，如果 Flash 是书写整洁的“书本”，那么 EEPROM 就是一张可以随时用橡皮擦改写其中任何一个字符的“便利贴”。
什么是 EEPROM？
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。在分析仪中，它专门负责保存那些经常变动但需要永久保存的配置参数。
EEPROM vs. FLASH：核心区别
虽然两者都是非易失性存储器，但在操作机制上有本质不同：
| 特性 | EEPROM | FLASH (如 STM32 内部 Flash) |
|---|---|---|
| 擦除单位 | 按字节 (Byte) | 按扇区/块 (Sector/Block) |
| 修改方式 | 可以直接覆盖/修改单个字节 | 必须先擦除整块（如 4KB），才能写入 |
| 擦写寿命 | 极高 (通常 100 万次以上) | 较低 (通常 1 万 - 10 万次) |
| 写入速度 | 较慢 (ms 级) | 较快 |
| 存储密度 | 低 (容量通常只有几 KB 到几 MB) | 高 (容量可达 GB 级) |
| 成本 | 较高 (按单位容量计) | 较低 |
为什么用 EEPROM 而不是 FLASH？
1. 颗粒度：字节级随机访问
这是最关键的原因。
- Flash 的痛点： 假设你的斜率系数只占 4 个字节，如果你把它存在 Flash 里，当你想要更新这个系数时，你必须先把这一块（通常是 4096 字节）全部读入 RAM，在 RAM 里修改那 4 个字节，擦除整个 Flash 块，最后再写回去。这不仅麻烦，还容易在擦除瞬间断电导致数据丢失。
- EEPROM 的优势： 你可以精准地指向某个地址，只修改那 4 个字节，不影响其他任何数据。
2. 擦写寿命 (Endurance)
分析仪如果开启了自动校准逻辑，或者频繁保存运行状态，擦写次数会快速累积。
- Flash 的寿命通常在 10 万次左右。
- EEPROM 的寿命通常高达 100 万次。 对于需要服役 5-10 年的工业分析仪来说，EEPROM 的可靠性更高，不容易因为“写穿”导致主控板损坏。
3. 数据安全性与简化编程
Flash 擦写通常需要更复杂的软件逻辑（如磨损均衡算法），而 EEPROM 通过 I2C 或 SPI 总线通信，协议简单成熟。在分析仪这种对稳定性要求极高的设备中，越简单的逻辑越不容易出错。
拓展资料
在设计 CEMS 分析仪时，由于校准系数非常重要，工程师通常还会做以下处理：
- 校验机制： 在 EEPROM 存储数据的末尾增加 CRC 校验。读取时如果校验失败，说明芯片损坏或数据被干扰，仪器会报错提示“校准数据异常”。
- 双备份存储： 在 EEPROM 不同的地址段保存两份相同的校准系数。如果 A 段数据损坏，自动尝试读取 B 段。